Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / 2SK3666-3-TB-E
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2SK3666-3-TB-E
| Référence fabricant: | 2SK3666-3-TB-E |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Feuilles de données: | 2SK3666-3-TB-E Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | - |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 30 V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2 mA @ 10 V |
| Drain de courant (Id) - Max | 10 mA |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 180 mV @ 1 µA |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Résistance - RDS (activé) | 200 Ohms |
| Puissance - Max | 200 mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package de l'appareil fournisseur | 3-CP |
État des stocks: 12536
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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