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MBR30035CTR

Référence fabricant:	MBR30035CTR
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
Partie de la description:	DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Feuilles de données:	MBR30035CTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Configuration de la diode	1 Pair Common Anode
Type de diode	Schottky, Reverse Polarity
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	35 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	300A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	700 mV @ 150 A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inversée @ Vr	1 mA @ 35 V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Twin Tower
Package de l'appareil fournisseur	Twin Tower

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