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MURT20020R

Référence fabricant:	MURT20020R
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
Partie de la description:	DIODE MODULE 200A 3TOWER
Feuilles de données:	MURT20020R Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Configuration de la diode	1 Pair Common Anode
Type de diode	Standard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	200 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.3 V @ 100 A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	75 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	25 µA @ 50 V
Température de fonctionnement - Jonction	-
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Three Tower
Package de l'appareil fournisseur	Three Tower

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