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GeneSiC Semiconductor / MUR20010CTR

MUR20010CTR

Référence fabricant: MUR20010CTR
Fabricant: GeneSiC Semiconductor
Partie de la description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Feuilles de données: MUR20010CTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Configuration de la diode1 Pair Common Anode
Type de diodeSchottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)100 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)200A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)75 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr25 µA @ 50 V
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseTwin Tower
Package de l'appareil fournisseurTwin Tower
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Le minimum: 1

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