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A2G35S160-01SR3

Référence fabricant:	A2G35S160-01SR3
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Feuilles de données:	A2G35S160-01SR3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	3.4GHz ~ 3.6GHz
Gagner	15.7dB
Tension - Test	48 V
Estimation actuelle (ampères)	-
Figure de bruit	-
Courant - Test	190 mA
Puissance - Sortie	51dBm
Tension - nominale	125 V
Paquet / caisse	NI-400S-2S
Package de l'appareil fournisseur	NI-400S-2S

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	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

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