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AFT23H200-4S2LR6

Référence fabricant:	AFT23H200-4S2LR6
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Feuilles de données:	AFT23H200-4S2LR6 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS (Dual)
La fréquence	2.3GHz
Gagner	15.3dB
Tension - Test	28 V
Estimation actuelle (ampères)	-
Figure de bruit	-
Courant - Test	500 mA
Puissance - Sortie	45W
Tension - nominale	65 V
Paquet / caisse	NI-1230-4LS2L
Package de l'appareil fournisseur	NI-1230-4LS2L

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