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MRF6V4300NBR5

Référence fabricant:	MRF6V4300NBR5
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Feuilles de données:	MRF6V4300NBR5 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	10MHz ~ 600MHz
Gagner	22dB
Tension - Test	50 V
Estimation actuelle (ampères)	2.5mA
Figure de bruit	-
Courant - Test	900 mA
Puissance - Sortie	300W
Tension - nominale	110 V
Paquet / caisse	TO-272BB
Package de l'appareil fournisseur	TO-272 WB-4

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