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MMRF1306HR5

Référence fabricant:	MMRF1306HR5
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Feuilles de données:	MMRF1306HR5 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS (Dual)
La fréquence	230MHz
Gagner	24dB
Tension - Test	50 V
Estimation actuelle (ampères)	-
Figure de bruit	-
Courant - Test	100 mA
Puissance - Sortie	1250W
Tension - nominale	133 V
Paquet / caisse	SOT-979A
Package de l'appareil fournisseur	NI-1230-4H

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