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NXP Semiconductors / BAP55L,315

BAP55L,315

Référence fabricant: BAP55L,315
Fabricant: NXP Semiconductors
Partie de la description: RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
Feuilles de données: BAP55L,315 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de diodePIN - Single
Tension - Inversion de crête (max)50V
Courant - Max100 mA
Capacité @ Vr, F0.28pF @ 20V, 1MHz
Résistance @ If, F700mOhm @ 100mA, 100MHz
Dissipation de puissance (max)500 mW
Température de fonctionnement-65°C ~ 150°C (TJ)
Paquet / caisseSOD-882
Package de l'appareil fournisseurDFN1006-2
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