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MMBV809LT1G

Référence fabricant:	MMBV809LT1G
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Feuilles de données:	MMBV809LT1G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Capacité @ Vr, F	6.1pF @ 2V, 1MHz
Rapport de capacité	2.6
Condition de rapport de capacité	C2/C8
Tension - Inversion de crête (max)	20 V
Type de diode	Single
Q @ Vr, F	75 @ 3V, 500MHz
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de l'appareil fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)

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