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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TRS8E65F,S1Q

TRS8E65F,S1Q

Référence fabricant: TRS8E65F,S1Q
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: DODE SCHOTTKY 650V TO220
Feuilles de données: TRS8E65F,S1Q Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de diodeSilicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)8A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 8 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr40 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F28pF @ 650V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-220-2
Package de l'appareil fournisseurTO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction175°C (Max)
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 55

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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