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Roving Networks / Microchip Technology / 1N5554US

1N5554US

Référence fabricant: 1N5554US
Fabricant: Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Feuilles de données: 1N5554US Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)1000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 9 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)2 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr1 µA @ 1000 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseSQ-MELF, B
Package de l'appareil fournisseurB, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 196

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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