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TRS6E65C,S1AQ

Référence fabricant:	TRS6E65C,S1AQ
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Feuilles de données:	TRS6E65C,S1AQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	6A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 6 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	90 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F	35pF @ 650V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-220-2
Package de l'appareil fournisseur	TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (Max)

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