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CDBDSC3650-G

Référence fabricant:	CDBDSC3650-G
Fabricant:	Comchip Technology
Partie de la description:	DIODE SIC 3A 650V TO-252/DPAK
Feuilles de données:	CDBDSC3650-G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	11A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 3 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	100 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F	181pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de l'appareil fournisseur	D-PAK (TO-252)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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