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IDB06S60CATMA2

Référence fabricant:	IDB06S60CATMA2
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	2ND GENERATION THINQ SIC SCHOTTK
Feuilles de données:	IDB06S60CATMA2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	6A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 6 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	80 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F	280pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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