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RFN10BM3STL

Référence fabricant:	RFN10BM3STL
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Feuilles de données:	RFN10BM3STL Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	350 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 10 A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	30 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	10 µA @ 350 V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de l'appareil fournisseur	TO-252
Température de fonctionnement - Jonction	150°C (Max)

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