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Référence fabricant: | BY550-1000G |
Fabricant: | EIC Semiconductor, Inc. |
Partie de la description: | DIODE GEN PURP 1000V 5A DO201AD |
Feuilles de données: | BY550-1000G Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | - |
Paquet | Bag |
État de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inversion CC (Vr) (Max) | 1000 V |
Courant - Moyenne rectifiée (Io) | 5A (DC) |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 5 A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inversée @ Vr | 20 µA @ 1000 V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package de l'appareil fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
État des stocks: 5250
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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