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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / EGF1T-E3/67A

EGF1T-E3/67A

Référence fabricant: EGF1T-E3/67A
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Feuilles de données: EGF1T-E3/67A Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesSUPERECTIFIER®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)1300 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If3 V @ 1 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)75 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr5 µA @ 1300 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseDO-214BA
Package de l'appareil fournisseurDO-214BA (GF1)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
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