GeneSiC Semiconductor / 1N1206A
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1N1206A
| Référence fabricant: | 1N1206A |
| Fabricant: | GeneSiC Semiconductor |
| Partie de la description: | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
| Feuilles de données: | 1N1206A Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inversion CC (Vr) (Max) | 600 V |
| Courant - Moyenne rectifiée (Io) | 12A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 12 A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inversée @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Capacité @ Vr, F | - |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Package de l'appareil fournisseur | DO-4 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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