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GeneSiC Semiconductor / 1N1190A

1N1190A

Référence fabricant: 1N1190A
Fabricant: GeneSiC Semiconductor
Partie de la description: DIODE GEN PURP 600V 40A DO5
Feuilles de données: 1N1190A Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)40A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 40 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inversée @ Vr10 µA @ 50 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageChassis, Stud Mount
Paquet / caisseDO-203AB, DO-5, Stud
Package de l'appareil fournisseurDO-5
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 190°C
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État des stocks: 296

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