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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

Référence fabricant: BYG10K-E3/TR3
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Feuilles de données: BYG10K-E3/TR3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeAvalanche
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)800 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.15 V @ 1.5 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)4 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr1 µA @ 800 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseDO-214AC, SMA
Package de l'appareil fournisseurDO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 5320

Le minimum: 1

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