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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / SE30AFJ-M3/6B

SE30AFJ-M3/6B

Référence fabricant: SE30AFJ-M3/6B
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
Feuilles de données: SE30AFJ-M3/6B Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1.4A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 3 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)1.5 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr100 µA @ 100 V
Capacité @ Vr, F19pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseDO-221AC, SMA Flat Leads
Package de l'appareil fournisseurDO-221AC
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
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État des stocks: 11425

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