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IDB30E60ATMA1

Référence fabricant:	IDB30E60ATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Feuilles de données:	IDB30E60ATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Last Time Buy
Type de diode	Standard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	52.3A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	2 V @ 30 A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	126 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	50 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 175°C

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Modèles populaires

	IDB30E60ATMA1 IR (Infineon Technologies)
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