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GB10SLT12-220

Référence fabricant:	GB10SLT12-220
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
Partie de la description:	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	1200 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 10 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	40 µA @ 1200 V
Capacité @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-220-2
Package de l'appareil fournisseur	TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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Modèles populaires

	GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
	GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor
	GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor

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