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WeEn Semiconductors Co., Ltd / BYC30WT-600PQ

BYC30WT-600PQ

Référence fabricant: BYC30WT-600PQ
Fabricant: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Partie de la description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3
Feuilles de données: BYC30WT-600PQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)30A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If2.75 V @ 30 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)22 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr10 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-247-3
Package de l'appareil fournisseurTO-247-3
Température de fonctionnement - Jonction175°C (Max)
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État des stocks: 3000

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