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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / RS2BHE3/52T

RS2BHE3/52T

Référence fabricant: RS2BHE3/52T
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
Feuilles de données: RS2BHE3/52T Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceDiscontinued at Digi-Key
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)100 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1.5 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)150 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr5 µA @ 100 V
Capacité @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseDO-214AA, SMB
Package de l'appareil fournisseurDO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
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