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WeEn Semiconductors Co., Ltd / WNSC10650T6J

WNSC10650T6J

Référence fabricant: WNSC10650T6J
Fabricant: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Partie de la description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeSilicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr60 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F328pF @ 1V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse4-VDFN Exposed Pad
Package de l'appareil fournisseur5-DFN (8x8)
Température de fonctionnement - Jonction175°C (Max)
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 3000

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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