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SICR10650

Référence fabricant:	SICR10650
Fabricant:	SMC Diode Solutions
Partie de la description:	DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Feuilles de données:	SICR10650 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	100 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F	695pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-220-2
Package de l'appareil fournisseur	TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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