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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-SD303C10S10C

VS-SD303C10S10C

Référence fabricant: VS-SD303C10S10C
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Feuilles de données: VS-SD303C10S10C Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)1000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)350A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If2.26 V @ 1100 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)1 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr35 mA @ 1000 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageClamp On
Paquet / caisseDO-200AA, A-PUK
Package de l'appareil fournisseurDO-200AA, A-PUK
Température de fonctionnement - Jonction-
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