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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / S1AHE3_A/I

S1AHE3_A/I

Référence fabricant: S1AHE3_A/I
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Feuilles de données: S1AHE3_A/I Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)50 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)1.8 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr1 µA @ 50 V
Capacité @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseDO-214AC, SMA
Package de l'appareil fournisseurDO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
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