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ROHM Semiconductor / RR1LAM6STR

RR1LAM6STR

Référence fabricant: RR1LAM6STR
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
Feuilles de données: RR1LAM6STR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)600 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inversée @ Vr10 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseSOD-128
Package de l'appareil fournisseurPMDTM
Température de fonctionnement - Jonction150°C (Max)
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 6284

Le minimum: 1

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