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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / SE12DB-M3/I

SE12DB-M3/I

Référence fabricant: SE12DB-M3/I
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
Feuilles de données: SE12DB-M3/I Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)100 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)3.2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.15 V @ 12 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)3 µs
Courant - Fuite inversée @ Vr20 µA @ 100 V
Capacité @ Vr, F90pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Package de l'appareil fournisseurTO-263AC (SMPD)
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 35

Le minimum: 1

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