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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Référence fabricant: HGTG11N120CND
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Feuilles de données: HGTG11N120CND Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTube
État de la pièceNot For New Designs
Type IGBTNPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)43 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)80 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 11A
Puissance - Max298 W
Énergie de commutation950µJ (on), 1.3mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte100 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C23ns/180ns
Condition de test960V, 11A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)70 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-247-3
Package de l'appareil fournisseurTO-247-3
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