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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG

Référence fabricant: NGTB30N60L2WG
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: IGBT 600V 30A TO247
Feuilles de données: NGTB30N60L2WG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTubeTube
État de la pièceLast Time Buy
Type IGBT-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)60 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 30A
Puissance - Max225 W
Énergie de commutation310µJ (on), 1.14mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte166 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C100ns/390ns
Condition de test300V, 30A, 30Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)70 ns
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-247-3
Package de l'appareil fournisseurTO-247-3
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