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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTG10N120BND
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HGTG10N120BND
| Référence fabricant: | HGTG10N120BND |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 |
| Feuilles de données: | HGTG10N120BND Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type IGBT | NPT |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 1200 V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35 A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 80 A |
| Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Puissance - Max | 298 W |
| Énergie de commutation | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 100 nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condition de test | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | 70 ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-247-3 |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-247-3 |
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| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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