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RGS60TS65DHRC11

Référence fabricant:	RGS60TS65DHRC11
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
Feuilles de données:	RGS60TS65DHRC11 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	56 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	90 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max	223 W
Énergie de commutation	660µJ (on), 810µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	36 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	28ns/104ns
Condition de test	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	103 ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package de l'appareil fournisseur	TO-247N

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