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FGY75N60SMD

Référence fabricant:	FGY75N60SMD
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Feuilles de données:	FGY75N60SMD Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type IGBT	Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	225 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 75A
Puissance - Max	750 W
Énergie de commutation	2.3mJ (on), 770µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	248 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	24ns/136ns
Condition de test	400V, 75A, 3Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	55 ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package de l'appareil fournisseur	PowerTO-247-3

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Modèles populaires

	FGY75T120SQDN Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGY75N60SMD Rochester Electronics
	FGY75T95SQDT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGY75T95LQDT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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