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RGT40NS65DGC9

Référence fabricant:	RGT40NS65DGC9
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	40 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	60 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 20A
Puissance - Max	161 W
Énergie de commutation	-
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	40 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	22ns/75ns
Condition de test	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	58 ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package de l'appareil fournisseur	TO-262

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