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ROHM Semiconductor / RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11

Référence fabricant: RGC80TSX8RGC11
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: IGBT
Feuilles de données: RGC80TSX8RGC11 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type IGBTTrench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1800 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)80 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)120 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic5V @ 15V, 40A
Puissance - Max535 W
Énergie de commutation1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte468 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C80ns/565ns
Condition de test600V, 40A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)-
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-247-3
Package de l'appareil fournisseurTO-247N
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RGC80TSX8RGC11

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