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ROHM Semiconductor / RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11

Référence fabricant: RGTH60TS65GC11
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Feuilles de données: RGTH60TS65GC11 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type IGBTTrench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)58 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)120 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max197 W
Énergie de commutation-
Type d'entréeStandard
Charge de porte58 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C27ns/105ns
Condition de test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)-
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-247-3
Package de l'appareil fournisseurTO-247N
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État des stocks: 58

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