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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD

Référence fabricant: FGL60N100BNTD
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: IGBT 1000V 60A 180W TO264
Feuilles de données: FGL60N100BNTD Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTube
État de la pièceNot For New Designs
Type IGBTNPT and Trench
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)60 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)120 A
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
Puissance - Max180 W
Énergie de commutation-
Type d'entréeStandard
Charge de porte275 nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C140ns/630ns
Condition de test600V, 60A, 51Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)1.2 µs
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-264-3, TO-264AA
Package de l'appareil fournisseurTO-264-3
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