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2SK536-TB-E

Référence fabricant:	2SK536-TB-E
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
Feuilles de données:	2SK536-TB-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SC-59
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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