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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDS5670

FDS5670

Référence fabricant: FDS5670
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Feuilles de données: FDS5670 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesPowerTrench®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C10A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SOIC
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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État des stocks: 2643

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