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Linear Integrated Systems, Inc. / 3N164 DIE

3N164 DIE

Référence fabricant: 3N164 DIE
Fabricant: Linear Integrated Systems, Inc.
Partie de la description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTray
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C50mA
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300Ohm @ 100µA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)-6.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3.5 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurDie
Paquet / caisseDie
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