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XPH6R30ANB,L1XHQ

Référence fabricant:	XPH6R30ANB,L1XHQ
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSVIII-H
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	45A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3240 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)

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