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ROHM Semiconductor / RS3E180ATTB1

RS3E180ATTB1

Référence fabricant: RS3E180ATTB1
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C18A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.4W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SOP
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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État des stocks: 2450

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