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RT1A050ZPTR

Référence fabricant:	RT1A050ZPTR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Feuilles de données:	RT1A050ZPTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-TSST
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead

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