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RSQ015N06HZGTR

Référence fabricant:	RSQ015N06HZGTR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Feuilles de données:	RSQ015N06HZGTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	950mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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