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ROHM Semiconductor / RV2C002UNT2L

RV2C002UNT2L

Référence fabricant: RV2C002UNT2L
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Feuilles de données: RV2C002UNT2L Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C180mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds12 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)100mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurDFN1006-3 (VML1006)
Paquet / caisseSC-101, SOT-883
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