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LND150N3-G-P014

Référence fabricant:	LND150N3-G-P014
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description:	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Feuilles de données:	LND150N3-G-P014 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Box (TB)
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	30mA (Tj)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10 pF @ 25 V
Fonction FET	Depletion Mode
Dissipation de puissance (max)	740mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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